سامسونج للإلكترونيات تعزز الاستثمار في أعمال الشرائح المنطقية بقيمة 171 تريليون وون كوري بحلول العام 2030
الشركة تزيد استثمارها بقيمة 38 تريليون وون كوري لإجراء المزيد من البحوث المتقدمة وبناء منشأة تصنيعية جديدة
سيتم الانتهاء من خط الإنتاج الجديد في بيونغتايك في النصف الثاني 2022 لإنتاج ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية 14 نانومتر والشرائح المنطقية 5 نانومتر
حصاد نيوز – أعلنت اليوم سامسونج للإلكترونيات، الشركة الرائدة عالمياً في تكنولوجيا أشباه الموصلات المتقدمة، أنها ستضخ المزيد من الاستثمارات في أعمال نظام (LSI) والسبك حتى العام 2030، ليصل إجمالي المبلغ إلى ما مجموعه 171 تريليون وون كوري، بهدف تسريع البحوث في مجال أحدث تقنيات صناعة أشباه الموصلات وبناء منشأة إنتاج جديدة.
وتمثل الخطة زيادة قدرها 38 تريليون وون كوري عن الالتزام السابق البالغ 133 تريليون وون كوري، والذي تم الإعلان عنه في أبريل 2019، ما سيساعد الشركة على تحقيق هدفها المتمثل في أن تكون الشركة الرائدة عالمياً في مجال الشرائح المنطقية بحلول العام 2030. وعلى مدار العامين الماضيين، تعاونت سامسونج بشكل وثيق مع العديد من شركات تصميم أشباه الموصلات ومصنعي المكونات والمعدات، إضافة إلى الجهات الأكاديمية من أجل إحراز التقدم للوصول إلى هذا الهدف.
وسيساعد التوسع في أعمال السبك لدى الشركة على دعم الصناعات الجديدة بالكامل القائمة على تقنيات الجيل التالي، مثل الذكاء الاصطناعي والجيل الخامس والقيادة الذاتية.
وسبق للشركة أن أعلنت عن البدء في بناء خط إنتاج جديد في مدينة بيونغتايك الكورية، ومن المتوقع اكتماله في النصف الثاني 2022. وستقوم المنشأة الحديثة المجهزة بأحدث تقنيات (P3) بإنتاج أشباه الموصلات المنطقية من فئة 14 نانومتر و 5 نانومتر اللذين يعتمدان على تقنية الطباعة بالحفر فوق البنفسجية الفائقة.
وقال الدكتور كينام كيم، نائب رئيس مجلس الإدارة ورئيس قسم حلول الأجهزة في سامسونج للإلكترونيات: “تمر صناعة أشباه الموصلات بفترة بالغة الأهمية، وحان الوقت الآن لرسم خطة لصياغة استراتيجية وتوفير استثمارات طويلة الأجل. وبالنسبة إلى أنشطة وحدات الذاكرة التي تحافظ سامسونج فيها على موقعها الريادي بلا منازع، سنواصل ضخ استثمارات استباقية لترسيخ دورنا في هذه الصناعة”.
وباعتبارها واحدة من أكبر الجهات المصنعة لأشباه الموصلات في العالم، ستعمل منشأة بيونغتايك كمحور رائد لابتكارات الجيل التالي.